¿Tu ordenador va lento? Este invento chino que puede hacerlo 10.000 veces más rápido
Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan ha desarrollado una memoria RAM a partir de grafeno. La diferencia respecto a las convencionales es abrumadora
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Un equipo de investigadores en China ha desarrollado un chip de memoria llamado PoX, capaz de operar a velocidades hasta 10.000 veces superiores a las actuales. Este avance, que combina grafeno con un nuevo modelo de inyección electrónica, podría transformar completamente el rendimiento de ordenadores y móviles.
El laboratorio de la Universidad de Fudan ha sido el escenario donde un grupo de científicos ha dado forma a una memoria RAM no volátil que escribe datos en apenas 400 picosegundos, una marca que supera con creces a la tecnología DRAM convencional. Este salto de rendimiento se basa en el uso de grafeno y en una estructura interna revolucionaria que facilita el tránsito ultrarrápido de electrones.
🇨🇳🚀 Record-breaking innovation from China!
— 𝘊𝘰𝘳𝘳𝘪𝘯𝘦 (@OopsGuess) April 17, 2025
Researchers at Fudan University have developed the world’s fastest semiconductor flash memory—writing and reading data in just 400 picoseconds. That’s a trillionth of a second.
🔬 Unlike traditional memory, this new tech is fast and… pic.twitter.com/fpYi616WBa
El material base de esta memoria, el grafeno, está compuesto por una única capa de átomos de carbono dispuestos en una estructura bidimensional. Gracias a su conductividad casi perfecta, permite una transferencia de carga extremadamente rápida. Este fenómeno, conocido como superinyección bidimensional, es la clave detrás de la velocidad récord del nuevo chip.
Más allá de la velocidad: una memoria sin pérdidas de datos
Una de las grandes ventajas de PoX es que no necesita energía constante para mantener la información. A diferencia de las memorias DRAM o SRAM, que se vacían al apagar el dispositivo, esta nueva solución es capaz de retener los datos, al estilo de un USB, pero con una rapidez mil veces superior.
El profesor Zhou Peng, que encabeza el proyecto, explicó que el diseño ha sido optimizado ajustando la longitud del canal de memoria para maximizar la velocidad de carga. "Hemos logrado un flujo prácticamente ilimitado de electrones en el almacenamiento, algo que era impensable con tecnologías anteriores", afirmó.
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Gracias a esta eficiencia, la memoria PoX podría revolucionar la inteligencia artificial y el procesamiento de datos en tiempo real. En este tipo de sistemas, el consumo energético y los tiempos de respuesta son críticos, y PoX ofrece una solución que permite mover y actualizar información sin ralentizaciones ni cuellos de botella.
Además de su impacto en servidores, centros de datos o móviles, la introducción de esta tecnología permitiría una experiencia de usuario mucho más fluida: aplicaciones que se abren sin esperas, arranques instantáneos del sistema y multitarea real sin bloqueos. Sin embargo, la fabricación de grafeno continúa siendo costosa y técnicamente compleja, lo que ralentiza su incorporación en procesos industriales.
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Un equipo de investigadores en China ha desarrollado un chip de memoria llamado PoX, capaz de operar a velocidades hasta 10.000 veces superiores a las actuales. Este avance, que combina grafeno con un nuevo modelo de inyección electrónica, podría transformar completamente el rendimiento de ordenadores y móviles.