No se trata de una película, los teléfonos tendrán 1 TB de memoria

¿Recuerdan cuando los ordenadores no sobrepasaban los 8 GB? Actualmente en el mercado podemos encontrarnos teléfonos de última generación, como el caso del novedoso Xiaomi Mi 4 o iPhone 5S, con una capacidad de 64 GB de memoria interna, aunque lo normal es que un smartphone cuente con una media de 16 gigas. Su almacenamiento pronto formaráparte de la historia.

Científicos estadounidenses han hecho posible que nuestros dispositivos puedan almacenar 1 TB. 1.000 gigas que permitirán que en nuestro bolsillo podamos llevar 60 veces más archivos. Para hacerse una idea, más de 30.000 canciones en MP3, cerca de 1.000 películas de alta calidad o todas las fotografías que hayamos realizado en los últimos cinco años.

Una resistencia 100 veces mayor

Aún con alternativas de almacenamiento interno como las tarjetasmicroSD o incluso la conexión a pen drivesmediantecables OTG, una memoría interna del smartphone que permita eliminar todos estos accesorios y que por sí misma nos permita guardar todo lo imaginable en nuestro dispositivo se presenta como el sueño de muchos.

Pues bien, científicos de la Universidad de Rice lo han conseguido. Tras cinco años de estudios, han logradocrear una RAM Resistente (RRAM) que puede ser fabricada con equipos y temperaturas convencionales. ¿Cuál es el secreto? A través del óxido de silicio poroso utilizado en sus investigaciones, el mismo que está ofreciendo esperanzas en lo relativo a baterías que duren más que las actuales en dispositivos móviles, la resistencia puede ser 100 veces mayor que en sus aplicaciones anteriores.

El silicio es el elemento posiblemente más estudiadoen La Tierra y el ingrediente básico en los microchips convencionales, lo que facilitaríasu integración además de hacer más barato el proceso de fabricación.

"Se trata de una memoria superior a todas las demás. Debido a que nuestros dispositivos utilizan óxido de silicio, resultará sencillo implementarloen las instalaciones de fabricación existentes", cuenta el químico y director de la investigaciónJames Tour.

En dichosporos se insertan metales como el oro o el platino, permitiéndole así almacenarhasta nuevebits por celda, mientras que las memorias flash actuales que todos conocemos tan solo guardan tresbits por compartimento. Esta cualidad, además de no verse afectada por altas temperaturas, permite que elchip -del tamaño de un sello de correos-sea más potente y no tarde en leer1 TB de información, es decir1.000 GB.

Un material que reemplazará las actuales memorias 'flash'

La tecnología empleada resultasimilar a la que se utiliza en los discos duros de estado sólido (SSD) que llevan en su interior los nuevos ordenadores portátiles de alta gama, conocidos también como ultrabooks. Ésta, además, espera suplantar en pocos años a la proporcionada por la memoria flash:"Es más rápida y se puede guardar mucha más información en menos espacio -más de 50 veces la densidad de datos capaz de registrar la memoria en cuestión-", cuenta Gunuk Wang, uno de sus investigadores.

Desde el estudioadelantanqueya se mantienecontacto con un fabricante para alcanzar un acuerdo que podría firmarse dentro de un par de semanas, una situación que hace pensar que una licencia para la producción en masa podría estar inminentemente cerca.

Aún así se estima que lainnovación podría llegar a nuestros dispositivos dentro de unos años:"Nuestra tecnología es la única que satisface todas las necesidades del mercado, tanto desde el punto de vista de la producción como del rendimiento", avisa James Tour.

Si algún día llega a aplicarse- algo que ya parece altamente posible- lo cierto es que ya no tendríamos por quépreocuparnos deerrores de memoria baja.